HY5110W HY5110 N-Channel Enhancement Mode Mosfet มอสเฟต ยี่ห้อ Huayi
รายละเอียดสินค้า
Type Designator: HY5110W
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation: 500 W
Maximum Drain-Source Voltage: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage: 25 V
Maximum Gate-Threshold Voltage: 4 V
Maximum Drain Current: 316 A
Maximum Junction Temperature: 175 °C
Total Gate Charge: 356 nC
Rise Time: 49 nS
Output Capacitance: 1558 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.0025 Ohm
Package: TO247
ชื่อสินค้า : HY5110W
รหัสสินค้า : 06010002
📌มีสินค้าตามจำนวนที่ระบุ สามารถสั่งซื้อได้เลย
📌สามารถออกใบกำกับภาษีได้ (แจ้งรายละเอียดทาง Chat)
📌มีข้อสงสัยเกี่ยวกับสินค้า สามารถสอบถามได้ทาง Chat
📌กรุณาตรวจสอบรายละเอียดสินค้าให้ดี ว่าตรงตามที่ต้องการหรือไม่ ก่อนทำการสั่งซื้อ
📌ส่งของทุกวัน จันทร์-เสาร์ ตัดรอบเวลา 10.00 น. หยุดวันอาทิตย์และวันหยุดนักขัตฤกษ์
📌สั่งหลังเวลา 10.00 น. จะส่งของในวันถัดไป กรณีวันถัดไปเป็นวันหยุด จะส่งของในวันถัดไปที่เปิดทำการ